格芯發表 7 奈米級 FDX Fusion 製程
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格芯（GlobalFoundries）發表 7 奈米級 FDX Fusion 製程，在放棄 FinFET 七年後重返先進 FD-SOI 開發，並計畫於 2028 年量產。此舉重啟該公司在全空乏絕緣層上覆矽（FD-SOI）技術的布局，這是它退出最先進 FinFET 競爭後專注的利基領域。新製程可為晶片設計者提供低功耗、射頻與嵌入式應用的另一條路徑，而 FD-SOI 在這些領域具優勢，正值 AI 與邊緣運算帶動對差異化製程選項的需求成長之際。
為什麼重要：格芯重返先進 FD-SOI，為晶片設計者提供 7 奈米級的差異化製程選項，考驗 FD-SOI 能否在低功耗與邊緣市場贏得設計案。
重點
- 7 奈米級 FDX Fusion 製程距格芯放棄 FinFET 已七年
- 計畫於 2028 年量產
- 此舉重啟該公司的先進 FD-SOI 開發